THC - Capacitor híbrido de tântalo de alta energia

Temperature range for use
-55 ℃~+125 ℃ (when above 85 ℃
Allowable deviation of capacitance
apply derating voltage for use)
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Características e aplicações

Invólucro de tântalo, vedação hermética, mesma direção de saída, polaridade, capacitância ultra grande; Múltiplas estruturas exteriores de instalação;

Tamanho pequeno, grande capacidade de armazenamento de energia, desempenho elétrico excelente e estável, alta confiabilidade e longa vida útil;

Fornecer funções de armazenamento de energia e atraso de desligamento nos circuitos CC ou pulso de equipamentos eletrônicos militares nas áreas de aeroespacial, aviação, armas, eletrônica, navios, comunicação, etc;

A série THC é equivalente à série EVANS THQ;

Norma de execução: GJB733B -2011

Formato da ordem: Modelo do produto - Tensão nominal - Capacidade nominal - Desvio permitido da capacitância: Quantidade da ordem;

Exemplo 1: THC1-10V-50000μF-M: 100, GJB1312A-2001

Exemplo 2: THC1-L21-125V-1100μF-K: 100 unidades, GJB733B -2011

 

Principais desempenhos técnicos

Faixa de temperatura: -55~+125(quando acima de 85aplicar a tensão de redução para utilização);

Faixa de temperatura de armazenamento: -62~+130;

Desvio admissível da capacitância: Classe K:±10%; Nível M:±20%;

Tensão nominal, tensão de redução, tensão de surto, capacitância nominal, resistência de série equivalente (ESR), corrente de vazamento CC, impedância, variação de capacitância:

Dimensões externas estruturais: consulte a tabela de tamanho do modelo externo e o diagrama estrutural externo;

Método opcional da instalação: consulte a tabela do tamanho do modelo e o diagrama externo da estrutura.

(Quadro 1)

Modelo Código do shell Dimensões externas(mm) Peso Máximog) Estrutura exterior opcional
ΦD±0, 5 H±0,5 h1±0,5 Φd±0, 1 h2±0,5 S±0,5
THCM1 A1 12 8 4.5 0.8 12.7 3.7 9
THCM1Q A2 10 12 Y4,V4
THCM1 B1 15 8 4.5 1 12.7 5.2 12
THCM1 B2 10 14
THCM2 B2 10 16
THCM2 B3 12 20
THCM2Q C1 16 12 4.5 1 12.7 5.2 20
THCM2Q C2 16 25
THCM1Q D1 19 8 4.5 1 12.7 6.5 20 Y4,V4,G2,L21
THCM1 D2 10 22
THCM2 D2 10 25
THCM2 D3 12 35
THC1 D4 19 13 4.8 1 12.7 6.5 40
THCM2 D5 19 16 4.5 1 12.7 6.5 45
THCM1Q E1 22 8 4.5 1 12.7 7 30 Y4,V4,L21
THCM2Q E2 12 40
THCM2Q E3 16 50
THCM1 F1 25 8 4.5 1 12.7 7 35 L21
THCM2 F2 10 40
THCM2 F3 12 50
THCM2 F4 16 75
THC1 G1 35.5 8 6 1 14 10 55 L21,L31,W,F,FJ
THC2 G2 12 80
THC2 G3 16 110
THC3 G4 20 145
THC3 G5 22 160
THC3 G6 24 165
Ao selecionar a estrutura externa F/FJ, devido ao aumento da resistência do fio, o padrão ESR do produto é aumentado em 0,05 Ω com base no padrão original.
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